Atnaujintas knygų su minimaliais defektais pasiūlymas! Naršykite ČIA >>

Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design

-15% su kodu: ENG15
143,97 
Įprasta kaina: 169,38 
-15% su kodu: ENG15
Kupono kodas: ENG15
Akcija baigiasi: 2025-03-03
-15% su kodu: ENG15
143,97 
Įprasta kaina: 169,38 
-15% su kodu: ENG15
Kupono kodas: ENG15
Akcija baigiasi: 2025-03-03
-15% su kodu: ENG15
2025-02-28 169.3800 InStock
Nemokamas pristatymas į paštomatus per 11-15 darbo dienų užsakymams nuo 20,00 

Knygos aprašymas

Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

Informacija

Serija: Springer Series in Advanced Microelectronics
Leidėjas: Springer Berlin Heidelberg
Išleidimo metai: 2013
Knygos puslapių skaičius: 156
ISBN-10: 3642270182
ISBN-13: 9783642270185
Formatas: 235 x 155 x 9 mm. Knyga minkštu viršeliu
Kalba: Anglų

Pirkėjų atsiliepimai

Parašykite atsiliepimą apie „Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design“

Būtina įvertinti prekę

Goodreads reviews for „Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design“