Atnaujintas knygų su minimaliais defektais pasiūlymas! Naršykite ČIA >>

Emerging Resistive Switching Memories

-15% su kodu: ENG15
71,98 
Įprasta kaina: 84,68 
-15% su kodu: ENG15
Kupono kodas: ENG15
Akcija baigiasi: 2025-03-03
-15% su kodu: ENG15
71,98 
Įprasta kaina: 84,68 
-15% su kodu: ENG15
Kupono kodas: ENG15
Akcija baigiasi: 2025-03-03
-15% su kodu: ENG15
2025-02-28 84.6800 InStock
Nemokamas pristatymas į paštomatus per 11-15 darbo dienų užsakymams nuo 20,00 

Knygos aprašymas

This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.

Informacija

Autorius: Jianyong Ouyang
Serija: SpringerBriefs in Materials
Leidėjas: Springer Nature Switzerland
Išleidimo metai: 2016
Knygos puslapių skaičius: 104
ISBN-10: 3319315706
ISBN-13: 9783319315706
Formatas: 235 x 155 x 7 mm. Knyga minkštu viršeliu
Kalba: Anglų

Pirkėjų atsiliepimai

Parašykite atsiliepimą apie „Emerging Resistive Switching Memories“

Būtina įvertinti prekę