Atnaujintas knygų su minimaliais defektais pasiūlymas! Naršykite ČIA >>

Current and Breakdown Voltages in 3C-SiC Lateral Power MOSFET

-15% su kodu: ENG15
48,81 
Įprasta kaina: 57,42 
-15% su kodu: ENG15
Kupono kodas: ENG15
Akcija baigiasi: 2025-03-03
-15% su kodu: ENG15
48,81 
Įprasta kaina: 57,42 
-15% su kodu: ENG15
Kupono kodas: ENG15
Akcija baigiasi: 2025-03-03
-15% su kodu: ENG15
2025-02-28 57.4200 InStock
Nemokamas pristatymas į paštomatus per 11-15 darbo dienų užsakymams nuo 20,00 

Knygos aprašymas

Silicon carbide is the only WBG semiconductor that possesses a high-quality native oxide suitable for use as an MOS insulator in electronic devices. Thermal oxidation of SiC produces a layer of SiO2 on the surface, while the carbon atoms from the SiC form CO, which escapes as a gas. Thus it is possible to make all the devices found in silicon IC technology in SiC, including high quality, stable MOS transistors and MOS integrated circuits.

Informacija

Autorius: Vivek Kumar
Leidėjas: LAP LAMBERT Academic Publishing
Išleidimo metai: 2020
Knygos puslapių skaičius: 68
ISBN-10: 6202800895
ISBN-13: 9786202800891
Formatas: 220 x 150 x 5 mm. Knyga minkštu viršeliu
Kalba: Anglų

Pirkėjų atsiliepimai

Parašykite atsiliepimą apie „Current and Breakdown Voltages in 3C-SiC Lateral Power MOSFET“

Būtina įvertinti prekę